大功率LED芯片是大功率LED灯珠的主要构成器件之一，制造出高品质、高功率LED晶片是技术之关键。常见的大功率LED芯片制造方法有哪些呢？还是让我们来具体的了解一下吧。
大功率LED芯片制造方法之一--加大尺寸法
通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。
大功率LED芯片制造方法之二--硅底板倒装法
首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功率LED的生产方式。
大功率LED芯片制造方法之三--陶瓷底板倒装法
先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。
大功率LED芯片制造方法之四--蓝宝石衬底过渡法
按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。
大功率LED芯片制造方法之五--AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法
由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为AlGaInN LED发展的另一主流产品。
以上便是针对常见的五种大功率LED芯片制造方法进行的讲解，深圳市源磊科技专业生产大功率
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